Swagelok世伟洛克 ALD3 原子层沉积超高纯隔膜阀

注：ALD3并非传统衬胶衬氟卫生阀，是半导体ALD工艺专用气动超高纯金属隔膜阀，阀体316L VIM‑VAR，阀座高纯PFA全氟材质，面向原子层沉积前驱体介质高速高频切换工况。

产品简介

ALD3系列为世伟洛克面向半导体ALD原子层沉积工艺开发的高频长寿命气动隔膜阀，分为常闭/常开两种执行器配置；阀体采用316L VIM‑VAR真空熔炼重熔不锈钢，钴基超级合金隔膜，高纯PFA全氟阀座，执行SC‑01超高纯清洗规范。阀门响应速度快、循环寿命极高，支持高温伴热工况，兼容真空至10bar工艺压力，支持VCR接头、表面安装C‑密封等多种接口形式，用于半导体设备前驱体气路快速脉冲通断控制，也可用于显示、光伏、特种气体超高纯工艺系统。

工作原理

气动驱动隔膜密封结构，常闭型无驱动气源时执行机构下压钴基合金隔膜压紧PFA阀座，阀门保持关闭；通入50‑90psig驱动气源，活塞抬起，依靠隔膜自身回弹实现阀门开启；切断气源自动复位关闭。 介质仅接触阀体、金属隔膜、PFA阀座，驱动机构完全隔离工艺介质，无填料函泄漏风险；流道全吹扫无死区，支持高温伴热，适配易冷凝前驱体介质，实现毫秒级高速脉冲通断控制，保障ALD工艺脉冲气体供给重复性。

核心产品特点

1. 超高循环寿命高频响应，阀门开启响应＜5ms，总响应时间＜15ms，可支持短至20ms窄脉冲重复动作，满足ALD工艺高频脉冲切换需求，氦质谱检漏满足SEMI‑F1标准。

2. 耐高温可伴热设计，工作温度0‑200℃，阀体预留加热棒安装孔，可整体高温伴热，防止前驱体介质冷凝析出，适配容易冷凝的化学前驱体工艺。

3. 高端接液材质组合，阀体316L VIM‑VAR；隔膜钴基超级合金UNS R30003；阀座高纯PFA全氟材料，耐化学腐蚀、抗溶胀、低颗粒析出，适配各类腐蚀性前驱体气体。

4. 丰富接口与阀体构型，支持内外螺纹VCR、卡套管对焊、C‑密封表面安装；有直通、弯通、二通/三通/四通多通路阀及阀组模块，适配气源板、设备内部集成安装。

5. SC‑01超高纯清洗工艺，低脱气、低碳氢残留，满足UHP超高纯系统洁净度要求；爆破压力高达220bar，抗工艺侧意外压力冲击。

6. 丰富选件扩展，可选阀位反馈传感器、先导电磁阀、热执行机构，可将阀门开关状态反馈至PLC，实现工艺系统闭环监控。

主要技术参数

• 型号：ALD3系列气动隔膜阀

• 驱动方式：气动，常闭NC / 常开NO可选

• 阀体材质：316L VIM‑VAR不锈钢

• 隔膜材质：钴基超级合金 UNS R30003

• 阀座材质：高纯PFA全氟树脂

• 工艺压力：真空 ~ 145psig（10bar）

• 爆破压力：3200psig（220bar）

• 驱动气源压力：50‑90 psig（3.5‑6.2bar）洁净干燥气体

• 流量系数Cv：0.27、0.62

• 工作温度：0℃ ~ 200℃

• 响应时间：开启＜5ms，总响应＜15ms

• 清洗标准：SC‑01超高纯清洗

• 接口形式：VCR内外螺纹、卡套管对焊、C‑密封表面安装

• 泄漏指标：氦质谱检漏优于1×10⁻⁹ std cm³/s

• 可选配件：阀位反馈、先导电磁阀、加热棒组件

• 认证：CE

典型应用场景

半导体ALD原子层沉积设备前驱体气路；薄膜沉积设备脉冲气体控制；显示、光伏工艺特种气体供给；易冷凝腐蚀性前驱体介质管路；超高纯特种气体气源面板；实验室半导体工艺研发设备；锂电特种气体工艺系统。