日の本研磨材株式会社 MUTSUMI‑GC 绿碳化硅SiC微粉

产品简介

MUTSUMI‑GC是日の本研磨材株式会社推出的高纯绿碳化硅（α‑SiC）精密研磨微粉，针对硬脆材料切片、研磨、抛光工艺开发。依托受控粉碎分级工艺管控颗粒形貌，严格约束大颗粒杂质，产品执行严苛品控体系，广泛应用于12英寸半导体硅晶圆、光学晶体、精密陶瓷等高精密加工场景，是半导体、光电行业的关键游离磨料耗材。

产品机理

绿碳化硅六方晶体硬度仅次于金刚石，晶体脆性适中，研磨作业中颗粒发生微破碎，持续生成全新锋利切削刃，实现自锐磨削效果。化学惰性强，耐酸碱腐蚀，磨削过程不易与工件、磨削液发生反应；导热性能优异，快速带走加工产生的摩擦热量，降低工件热损伤、裂纹风险，保障加工面品质稳定。

核心特点

1. 颗粒形貌可控，专属粉碎分级工艺，颗粒棱角锋利，粒度分布窄，大颗粒占比极低，大幅降低工件表面划伤概率，加工良率高。

2. 高纯度基材，SiC有效成分高，游离碳、氧化铁杂质严格管控，低污染，适配半导体晶圆这类对杂质敏感的制程。

3. 优异自锐性能，持续破碎生成新切削刃，长时间加工依旧维持磨削效率，无需频繁更换磨料，加工批次一致性好。

4. 全粒度规格覆盖，#240‑#6000完整目数选型，从粗切片到亚微米精抛均可匹配，满足粗切、研磨、精抛多道工序需求。

5. 化学热稳定性强，耐酸碱，耐高温，适配水基、油基各类研磨液，不易发生变质，适配各类硬脆材质加工。

6. 日本原厂品质管控，每批次完成粒径、杂质、颗粒形态检测，批次间差异小，适合产线大批量连续生产。

关键技术参数

• 材质：α‑型绿碳化硅 SiC

• 粒度范围：#240～#6000（JIS标准）

• 莫氏硬度：9.4‑9.5

• 比重：3.10‑3.16

• SiC纯度：≥96%

• 杂质：游离碳、氧化铁严格上限管控

• 颗粒特性：锋利棱角，粒度分布集中，严控超大颗粒

• 适用介质：水基研磨液、油基研磨液

应用场景

半导体领域：12英寸及以下硅锭切片、硅晶圆研磨，半导体陶瓷零部件精密加工； 光电行业：石英晶体、压电陶瓷、光学玻璃、蓝宝石衬底的切片与精密研磨； 精密加工：硬质合金、铁氧体、各类高级精细陶瓷的切片、研磨、抛光； 磨具制造：高端精密研磨砥石、复合磨料制品原料。